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wenzhang:1710:xnz

沉积温度和快速退火对磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响

谢宁致a,祝巍b
(中国科学技术大学 a.少年班学院;b.物理学院 物理实验教学中心,安徽 合肥 230026)

  摘 要: 探究了不同衬底温度下由磁控溅射法制备的氧化锌掺铝(AZO)薄膜的结构、光学和电学性能,以及快速退火处理对样品电学性能的改善作用. 实验结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜样品的载流子浓度、霍尔迁移率和电导率提高,并在400 ℃附近达到较好水平,但高温的衬底沉积出的样品薄膜的XRD图谱半高全宽相对于低温衬底并没有明显变小. 测量退火处理后的样品薄膜的电学性质,发现短时间的真空退火能改善低温沉积的AZO薄膜的电导率,与提高衬底温度有类似的改善效果,700 ℃的退火温度能达到最好效果.
  关键词: AZO薄膜;磁控溅射;衬底温度;真空退火;电学性能

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wenzhang/1710/xnz.txt · 最后更改: 2017/10/21 16:20 由 guoweilw